💥 Gate 广场活动:#发帖赢代币CGN 💥
在 Gate 广场发布与 CGN、Launchpool 或 CandyDrop 相关的原创内容,即有机会瓜分 1,333 枚 CGN 奖励!
📅 活动时间:2025年10月24日 18:00 – 11月4日 24:00(UTC+8)
📌 相关详情:
Launchpool 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47771
CandyDrop 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47763
📌 参与方式:
1️⃣ 在 Gate 广场发布原创内容,主题需与 CGN 或相关活动(Launchpool / CandyDrop)相关;
2️⃣ 内容不少于 80 字;
3️⃣ 帖子添加话题:#发帖赢代币CGN
4️⃣ 附上任意活动参与截图
🏆 奖励设置(总奖池:1,333 CGN)
🥇 一等奖(1名):333 CGN
🥈 二等奖(2名):200 CGN / 人
🥉 三等奖(6名):100 CGN / 人
📄 注意事项:
内容必须原创,禁止抄袭;
获奖者需完成 Gate 广场身份认证;
活动最终解释权归 Gate 所有。
三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
金十数据11月20日讯,三星电子举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部(存储器、系统LSI和Foundry)的共同核心研发基地,到2030年这一项目将累计获得约20万亿韩元的投资。NRD-K还将包含一条研发专用线,该产线将于2025年中投入使用。NRD-K综合体将导入ASML High NA EUV光刻机、新材料沉积设备在内的一系列最先进半导体生产工具,旨在加速3D DRAM、千层V-NAND在内的下代存储芯片开发。