💥 Gate 廣場活動:#发帖赢代币CGN 💥
在 Gate 廣場發布與 CGN、Launchpool 或 CandyDrop 相關的原創內容,即有機會瓜分 1,333 枚 CGN 獎勵!
📅 活動時間:2025年10月24日 18:00 – 11月4日 24:00(UTC+8)
📌 相關詳情:
Launchpool 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47771
CandyDrop 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/47763
📌 參與方式:
1️⃣ 在 Gate 廣場發布原創內容,主題需與 CGN 或相關活動(Launchpool / CandyDrop)相關;
2️⃣ 內容不少於 80 字;
3️⃣ 帖子添加話題:#發帖贏代幣CGN
4️⃣ 附上任意活動參與截圖
🏆 獎勵設置(總獎池:1,333 CGN)
🥇 一等獎(1名):333 CGN
🥈 二等獎(2名):200 CGN / 人
🥉 三等獎(6名):100 CGN / 人
📄 注意事項:
內容必須原創,禁止抄襲;
獲獎者需完成 Gate 廣場身分認證;
活動最終解釋權歸 Gate 所有。
三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備
金十數據11月20日訊,三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業部(存儲器、系統LSI和Foundry)的共同核心研發基地,到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線,該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具,旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。